kenttävaikutustansitorit (FET) ovat tiettyjen sähköisten komponenttien tyyppi, jotka ovat saaneet rokotusviikon keskellä viime vuosina. ympäristökeskus levy neillä on useita etuja verrattuna perinteisiin bipolariyhteistanssoreaktoreihin (BJT). FET:t säilyttävät vakionaan tämän korkeamman syöttöimpedanssin, mikä mahdollistaa niiden helpon sisällyttämisen korkean impedanssin oleviin piireihin ilman signaalin heikkenemistä, jonka ne yrittävät vahventaa. Vastaan taas BJT-tanssorit tarvitsevat kantakuron ajoja.
Lisäksi FET:t voivat toimia alhaisemmin jännitteellä ja vähemmällä voimatasolla, mikä tekee niistä täydellisen akkusovelluksille tilanteissa, joissa energiatehokkuus on tärkeää. Monet asiat ovat samanlaiset FET:eissä ja BJT:issä; kuitenkin toinen suuri edun FET:illä on se tosiasia, ettei niillä ole lämpötilan hallitsematonta kasvua – tilannetta, jossa BJT-tosistoreita muuttuu lämpimiksi, kun läpä kulkee enemmän virtaa, mikä voi johtaa laitteen vikaan.
Voiman lisäyssektori on muuttunut merkittävästi FET-tiisteksien käytön myötä, erityisesti korkean taajuuden sovelluksissa. mailin piirikunta voivat toimia RF-taajuuksilla, joten niitä käytetään Radion Taajuus (RF) -lisäyksissä
Suurin edut FET-tansistorin käytöstä voimavirtaissä on se, että se voi vahventaa signaaleja ilman virittämistä. Koska se skaalaa signaaleja lineaarisesti ilman niiden laadun heikkenemistä, tarkoittaa se, ettei se virityt mitään syöttämää signaalia, joka menee sen syöttöterminaaliin, mikä tekee tästä laitteesta ideaalin äänisovelluksille, jotka vaativat epävirittyvää tuotantoa, kuten musiikkityöskentelyssä tai elokuvateattereissa, joissa saattaa tarvita suuria määriä virtaa eri taajuuksilla. Viimeisenä mutta ei vähäisimpänä nämä laitteet toimivat myös hyvin korkeilla jännitteillä, mikä tekee niistä sopivia ehdokkaita ystävällisten luokiteltujen sovellusten ajoon. Siksi ne ovat kestoisia ja tarjoavat jatkuvaa korkean suorituskyvyn useimmille kaupallisille tai teollisille ympäristöille, erityisesti raskaiden kuormien alla.
Kaikki FET-tansistorit perustuvat ilmiöön, jota kutsutaan kanavan johtavuuden modulaatioksi. Kun jännite käytetään porttiin, syntyy sähkökenttä, joka muuttaa kanavan johtavuutta lähdestä draanille.
FET-tansistorien on yleisesti tiedossa olevia kolme tyyppiä: ne ovat JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Controller) ja mailin sähköiset piiritykset tai metallisemikonduktiorikentän tarkoituksena on suorittaa erilaisia tehtäviä enimmillään. Yksinkertaisimmillaan JFET-ohutilla on vakio portti-lähdejännite, jonka yli ne johtavat. MOSFETeihin verrattuna BJT-tansistorit voidaan käyttää joko vähennys- tai lisäystilassa riippuen siitä, mihin tarkoitukseen niitä halutaan käyttää (tätä ei voi tehdä BJT:tä käyttäen). MESFET:t ovat myös erinomaisia korkeampien taajuuksien sovelluksissa, koska melu-arvot ovat hyvin alhaiset samalla, kun elektronien liikkumiskyky pysyy korkeana.
FET-tansistorien laaja soveltamisala ilmastosäädinten järjestelmissä johtuu niiden monipuolistisuudesta, korkean taajuuden kyvystä ja matalasta kohinatasosta. Edut voidaan parhaiten hyödyntää käyttämällä sähköiset komponentit ilmakehään viestintäjärjestelmissä tutkimalla huolellisesti niitä parametreja, jotka vaikuttavat piirin suorituskykyyn, kuten parasittikoepitoja tai lämpötiloja ja lineaarisuutta
PCBA-yhdestä-palvelusta keskitymme paljon arvoon, joka kuuluu "mukautettu palvelu jokaiselle asiakkaalle". Ammattimainen neuvontapalvelumme sopeutetaan jokaiseen Fet -transistoriin. Kokenut joukkemme voi tarjota laajan valikoiman ratkaisuja alusta idea-etsintään ja loppuun määrittelyvahvistukseen. He työskentelevät tiiviisti yhdessä kuunnellen asiakkaan tarpeita, sopeuttavat palveluprosessit joustavasti ja vastaavat erilaisiin projektitarpeisiin teknologisella innovaatiolla ja uusimmalla tekniikalla, riippumatta siitä, ovatko ne perustaitavia tai monimutkaisia.
erikoistuvat kaikkeen PCBA-palveluun, joka tarjoaa nopean toimituspalvelun uudelleenmäärittämällä Fet-tiivistin ja tehokkuus. Tavallisille tilauksille yksinkertaistetut prosessit tuotannossa ja paranneltu varusteketjun hallinta vähentävät erien toimitusaikaa huomattavasti 10 päivää. Tämä on paljon edellä alakunnan normeja. Kiireellisten vaatimusten tunnustamiseksi kehitimme pikapalvelun pienille tilauksille, jonka käsittelyaika on vain 72 tuntia. Tämä takaa, että projektisi etenevät nopeasti ja voit hyödyntää markkinamahdollisuuksia.
Erityisomme on vahva sitoutuminen asiakkaidemme tarpeisiin Fet-transistorien ja palveluiden toimittamisessa heidän PCBAn yhdestä pysäkistä palveluun. SMT-montaus on erittäin tarkka, ja laadunpakkaus on ankara. Prosessikyky koskee myös upotetun plugin-käsittelyprosessia sekä PCBA-testausta, joka on keskeinen askel varmistaakseen korkealaatuisen tuotannon ja jakelun. FCT-testauslaitteisto tehdään ja testataan suhteutettain asiakkaan suunnittelemaan testauspisteisiin, ohjelmiin ja vaiheisiin. Renkaat valmistetaan täyttämään kansainväliset laadunstandardit. Tämä tarkoittaa, että toimitettavat asiat ovat erittäin luotettavia ja niiden suorituskyky on pitkälle määrätty.
Perustettu vuonna 2009, Hangzhou Hezhan Technology Co., Ltd. varusti toimistotilalla 6000 neliömetriä, joka on varustettu uusimilla puhdasHuoneistoina, jotka on suunniteltu elektronisen valmistuksen tarpeisiin. Keskitetään tutkimukseen ja tuotantoon elektronisen pintamonttautuksen alalla, yritys perustuu laaja-alaiseen teollisuuskokemukseen ja tarjoaa asiakkailleen yhdenmukaisen PCBA-ratkaisun, ja siirtyy myös pienimuotoiseen tuotantoon ja verkkotoimitusmallien käyttöön. Yrityksessä on noin 150 työntekijää. Heidän Fet -transistorituotantotehtaan hevosvoimavarojaan kuuluu noin 100 jäsentä, R D -osasto noin 50:llä, myyntihenkilökunta sekä johto- ja OEM -osasto, joka erikoistuu. Hezhan Technology, jonka vuosittainen liikevaihto on lähes 50 miljoonaa yuania, on kokenut merkittävää kasvua viime vuosina. Yrityksen keskimääräinen vuosittainen kasvuviiteviimeiset kolme vuotta on yli 50 %, mikä osoittaa, että se on nopeassa laajentumisvaiheessa.
Copyright © Zhejiang Mailin Electronic Technology Co., Ltd. All Rights Reserved
EN
