transistores de Efeito de Campo (FETs) são um tipo de componente eletrônico que ganhou destaque nos últimos anos. mailin uma placa de circuito possuem várias vantagens em relação aos transistores bipolares convencionais (BJTs). Os FETs consistentemente mantêm essa maior impedância de entrada, permitindo que sejam facilmente incluídos em circuitos de alta impedância sem afetar o sinal que estão tentando amplificar. Em contraste, os transistores BJT exigem uma corrente na base para funcionar
Além disso, FETs podem operar em níveis mais baixos de tensão e potência, o que os torna perfeitos para aplicações de bateria quando a eficiência energética é importante. Muitas coisas são semelhantes entre FETs e BJTs; no entanto, outro grande benefício dos FETs é o fato de eles não apresentarem aquecimento térmico – uma situação em que os transistores BJT ficam mais quentes à medida que mais corrente flui por eles, potencialmente levando ao falha do dispositivo.
O setor de amplificadores de potência foi muito transformado com o uso de transistores FET, especialmente em aplicações de alta frequência. mailin placa de circuito podem operar em frequências de RF, portanto são usados em amplificadores de Radiofrequência (RF)
A maior vantagem de usar um transistor FET em amplificadores de potência é que ele pode amplificar sinais sem distorção. Como ele escala os sinais linearmente sem afetar sua qualidade, isso significa que não distorce nenhum sinal de entrada aplicado ao seu terminal de entrada, o que torna este dispositivo perfeito para aplicações de áudio que exigem reprodução não distorcida, como estúdios de produção musical ou salas de apresentações ao vivo onde grandes quantidades de potência podem ser necessárias em diferentes faixas. Por último, mas não menos importante, esses dispositivos também funcionam bem com níveis elevados de tensão, tornando-os candidatos adequados para aplicações classificadas amigáveis que exigem impulsionamento. Portanto, eles possuem robustez e desempenho contínuo necessário para a maioria dos ambientes comerciais ou industriais devido à sua durabilidade e confiabilidade, especialmente sob cargas pesadas.
Todos os transistores FET são baseados no fenômeno chamado de modulação da condutância do canal. Quando uma tensão é aplicada ao terminal da grade, um campo elétrico é criado que altera a condutividade do canal entre a fonte e o dreno.
Existem 3 tipos de transistores FET conhecidos comumente; eles incluem: JFETs (Transistor de Efeito de Campo de Junção), MOSFETs (Controladores de Efeito de Campo de Semicondutor de Óxido Metálico) e mailin circuitos elétricos significando transistor de efeito de campo semicondutor metálico. Cada tipo foi projetado para tarefas específicas na maioria das vezes. No mais simples, os JFETs têm uma tensão limite fixa entre a grade e a fonte acima da qual eles conduzem. Ao contrário dos MOSFETs, os transistores BJT podem operar como dispositivos em modo de depleção ou modo de aumento dependendo do propósito que se deseja que eles sirvam (isso não é possível com BJTs). Os MESFETs também são considerados ideais para aplicações de altas frequências porque seus valores de ruído são muito baixos enquanto a mobilidade dos elétrons permanece alta.
A ampla gama de aplicações em que os transistores FET podem ser usados em sistemas de comunicação sem fio se deve à sua versatilidade, capacidades de alta frequência e propriedades de baixo ruído. Para maximizar essas vantagens ao usar componentes Eletrônicos em qualquer sistema de comunicação sem fio, precisamos investigar cuidadosamente aqueles parâmetros que afetam o desempenho do circuito, como capacitâncias parasitas ou temperaturas e linearidade também
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