feldwirkungstransistoren (FETs) sind eine Art von elektronischem Bauelement, das in den letzten Jahren an Bedeutung gewonnen hat. mailin eine Schaltplatte haben gegenüber standardmäßigen Bipolar-Junction-Transistoren (BJTs) mehrere Vorteile. FETs weisen stets eine höhere Eingangsimpedanz auf, was es ermöglicht, sie einfach in Hochimpedanzschaltungen einzubauen, ohne den zu verstärkenden Signalen zu schaden. Im Gegensatz dazu benötigen BJT-Transistoren einen Basisstrom zur Steuerung
Darüber hinaus können FETs bei niedrigeren Spannungs- und Leistungswerten arbeiten, was sie für Batterieanwendungen perfekt macht, wenn Energieeffizienz von Bedeutung ist. Viele Aspekte sind zwischen FETs und BJTs ähnlich; jedoch ist ein weiterer großer Vorteil bei FETs die Tatsache, dass sie kein Temperaturauslauf zeigen – eine Situation, in der BJT-Transistoren heißer werden, je mehr Strom durch sie fließt, was möglicherweise zu einem Geräteausfall führen kann.
Der Leistungsverstärkerbereich wurde durch den Einsatz von FET-Transistoren stark verändert, insbesondere in Anwendungen mit hohen Frequenzen. mailin schaltplatte können bei HF-Frequenzen arbeiten und werden daher in Radiofrequenzverstärkern (RF) eingesetzt
Der größte Vorteil der Verwendung eines FET-Transistors in Leistungsverstärkern besteht darin, dass er Signale ohne Verzerrung verstärken kann. Da er Signale linear skalieren kann, ohne deren Qualität zu beeinträchtigen, verursacht er keine Verzerrung von Eingangssignalen, die an sein Eingangsterminal übertragen werden, was dieses Gerät für Audioanwendungen, die eine unverzerrte Wiedergabe benötigen, wie Tonstudios oder Live-Auftritte ideal macht, wo große Mengen an Leistung bei verschiedenen Frequenzen benötigt werden können. Nicht zuletzt arbeiten diese Geräte auch gut mit hohen Spannungsniveaus, was sie zu geeigneten Kandidaten für Anwendungen in der Klassifizierung von Freunden macht. Sie besitzen daher die Robustheit und kontinuierliche Hochleistung, die für die meisten kommerziellen oder industriellen Umgebungen erforderlich sind, insbesondere unter schweren Lastbedingungen.
Alle FET-Transistoren basieren auf dem Phänomen, das als Kanal-leitfähigkeitsmodulation bekannt ist. Wenn eine Spannung an das Gatterterminal angelegt wird, entsteht ein elektrisches Feld, das die Leitfähigkeit des Kanals von Quelle zu Drain verändert.
Es gibt 3 Arten von FET-Transistoren, die allgemein bekannt sind; sie umfassen: JFETs (Junction Field Effect Transistor), MOSFETs (Metal Oxid Halbleiter-Feld-Effekt-Kontroller) und mailin elektrische Schaltkreise was Metal-Halbleiter-Feld-Effekt bedeutet. Jeder Typ wurde für spezifische Aufgaben entwickelt. In seiner einfachsten Form haben JFETs eine feste Schwellenspannung zwischen Gate und Source, ab der sie leiten. Im Gegensatz zu MOSFETs können BJT-Transistoren je nach gewünschter Funktion entweder im Depletion- oder im Enhancement-Modus betrieben werden (das ist bei BJTs nicht möglich). MESFETs eignen sich außerdem hervorragend für Anwendungen in höheren Frequenzbereichen, da ihre Rauschwerte sehr niedrig sind, während die Elektronenmobilität hoch bleibt.
Das breite Anwendungsspektrum von FET-Transistoren in drahtlosen Kommunikationssystemen ist auf ihre Vielseitigkeit, ihre Hochfrequenzfähigkeiten und ihre niedrigen Rauscheigenschaften zurückzuführen. Um diese Vorteile zu maximieren, wenn elektronikkomponenten in jedem drahtlosen Kommunikationssystem sorgfältig diejenigen Parameter untersucht werden müssen, die die Schaltungsausführung beeinflussen, wie z.B. parasitäre Kapazitäten oder Temperaturen und Linearität
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Gegründet im Jahr 2009 verfügt Hangzhou Hezhan Technology Co., Ltd. über eine Produktionsstätte von 6000 Quadratmetern, die mit modernsten Reinräumen für die Elektronikfertigung ausgestattet ist. Spezialisiert auf Forschung und Produktion elektronischer Oberflächenmontagen bietet das Unternehmen aufgrund umfangreicher Branchenerfahrung Kunden eine integrierte PCBA-Lösung an und expandiert auch in Kleinserienproduktion und Online-Liefermodelle. Etwa 150 Mitarbeiter sind beim Unternehmen beschäftigt. Sie umfassen ein Transistor-Produktionsteam mit etwa 100 Mitgliedern, eine Forschungs- und Entwicklungsabteilung mit etwa 50 Mitarbeitern sowie Verkaufskräfte und Managementpersonal und eine spezialisierte OEM-Abteilung. Hezhan Technology, mit einem Jahresumsatz von annähernd 50 Millionen Yuan, hat in den letzten Jahren erhebliches Wachstum erfahren. Das Unternehmen weist eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von über 50% in den letzten drei Jahren auf, was darauf hinweist, dass es sich in einer Phase rasanten Ausbaus befindet.
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