장효과 트랜지스터(FETs)는 최근 몇 년간 주목받고 있는 일종의 전자 부품입니다. 메일인 회로 기판 표준 양극 트랜지스터(BJTs)보다 여러 가지 장점이 있습니다. FETs는 높은 입력 임피던스를 유지하여 증폭하려는 신호에 영향을 주지 않고 고임피던스 회로에 쉽게 포함될 수 있습니다. 반면 BJT 트랜지스터는 드라이브하기 위해 베이스 전류가 필요합니다.
더욱이, FET는 더 낮은 전압과 전력 수준에서 작동할 수 있어 에너지 효율성이 중요한 배터리 응용 분야에 적합합니다. FET와 BJT 사이에는 많은 유사점이 있지만, FET의 주요 장점 중 하나는 온도가 상승하면서 전류가 증가하는 '온도 러닝어웨이(temperature runaway)' 현상이 없다는 것입니다. 이는 더 많은 전류가 흐를수록 더 뜨거워져 장치 고장으로 이어질 수 있는 BJT 트랜지스터와 대조됩니다.
FET 트랜지스터의 사용으로 인해 전력 증폭기 분야는 특히 고주파 응용에서 크게 변화되었습니다. mailin 회로판 rF 주파수에서 작동할 수 있으므로 라디오 주파수 (RF) 증폭기에 사용됩니다
전력 증폭기에서 FET 트랜지스터를 사용하는 가장 큰 이점은 신호를 왜곡 없이 증폭할 수 있다는 것입니다. 이는 신호의 품질에 영향을 주지 않고 선형적으로 신호를 확대하므로, 입력 단자로 들어오는 모든 입력 신호를 왜곡 없이 증폭합니다. 이 장치는 음악 제작 스튜디오나 라이브 공연장과 같은 오디오 애플리케이션에서 요구되는 왜곡 없는 재생이 필요한 경우에 완벽하게 작동합니다. 특히 다양한 대역에서 많은 전력을 필요로 하는 상황에서도 유용합니다. 마지막으로 이러한 장치들은 고전압 수준에서도 잘 작동하여 친화적인 분류된 애플리케이션을 구동하기에 적합합니다. 따라서 이들은 대부분의 상업적 또는 산업적 환경에서 필요한 견고함과 지속적인 고성능을 가지고 있으며, 특히 무거운 부하 하에서도 강건성과 신뢰성을 유지합니다.
모든 FET 트랜지스터는 채널 전도율 변조라고 불리는 현상에 기반합니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 전기장이 생성되어 소스에서 드레인까지의 채널 전도성을 변화시킵니다.
일반적으로 알려진 FET 트랜지스터는 3종류이며, 이에는 JFET(Junction Field Effect Transistor), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Controllers), 그리고 mailin이 포함됩니다. 전기 회로 즉 금속 반도체 필드 효과를 의미합니다. 각 유형은 주로 특정 작업을 위해 설계되었습니다. 가장 간단하게, JFETs는 일정한 게이트-소스 전압 임계값 이상에서 전류를 흐르게 됩니다. MOSFETs와 달리 BJT 트랜지스터는 사용 목적에 따라 감쇠 모드 장치 또는 증폭 모드 장치로 작동할 수 있습니다(BJTs에서는这一点이 불가능합니다). MESFETs는 매우 낮은 노이즈 값과 높은 전자 이동성을 가지므로 고주파 애플리케이션에 적합하다고 여겨집니다.
FET 트랜지스터가 무선 통신 시스템에서 사용될 수 있는 넓은 응용 범위는 그 다재다능성, 고주파 능력 및 저잡음 특성 때문입니다. 이러한 이점을 최대한 발휘하려면 전자 부품 무선 통신 시스템에서 어떤 파라미터들이 회로 성능에 영향을 미치는지 신중히 조사해야 합니다. 예를 들어寄생 전압이나 온도와 선형성 등이 있습니다.
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