Les transistors à effet de champ (FET) sont un type de composant électronique qui a gagné en importance ces dernières années. un circuit imprimé présentent plusieurs avantages par rapport aux transistors à jonction bipolaire (BJT) standard. Les FET maintiennent systématiquement cette impédance d'entrée plus élevée, ce qui leur permet d'être facilement inclus dans des circuits à haute impédance sans affecter le signal qu'ils tentent d'amplifier. En revanche, les transistors BJT ont besoin d'un courant de base pour les piloter
De plus, les FET peuvent fonctionner à des niveaux de tension et de puissance inférieurs, ce qui les rend parfaits pour les applications de batterie lorsque l'efficacité énergétique est importante. De nombreux points sont similaires entre les FET et les BJT ; cependant, un autre avantage majeur des FETS est le fait qu'ils ne présentent pas d'emballement de température - une situation dans laquelle les transistors BJT deviennent plus chauds à mesure que davantage de courant les traverse, ce qui peut entraîner une défaillance de l'appareil.
Le secteur des amplificateurs de puissance a été considérablement transformé par l'utilisation de transistors FET, en particulier dans les applications à haute fréquence. carte de circuit imprimé peuvent fonctionner à des fréquences RF et sont donc utilisés dans les amplificateurs de radiofréquence (RF)
Le plus grand avantage de l'utilisation d'un transistor FET dans les amplificateurs de puissance est qu'il peut amplifier les signaux sans distorsion. Comme il met à l'échelle les signaux de manière linéaire sans affecter leur qualité, cela signifie qu'il ne déforme aucun signal d'entrée alimenté dans sa borne d'entrée, ce qui rend cet appareil parfait pour les applications audio nécessitant une reproduction sans distorsion telles que les studios de production musicale ou les salles de spectacles en direct où de grandes quantités de puissance peuvent être nécessaires à différentes bandes. Enfin, ces appareils fonctionnent également bien avec des niveaux de tension élevés, ce qui en fait des candidats idéaux pour les applications de petites annonces conviviales. En tant que tels, ils possèdent la robustesse et les performances élevées continues nécessaires à la plupart des environnements commerciaux ou industriels en raison de leur robustesse et de leur fiabilité, en particulier sous de lourdes charges.
Tous les transistors FET sont basés sur le phénomène appelé modulation de conductance du canal. Lorsque la tension est appliquée à la borne de grille, un champ électrique est créé qui modifie la conductivité du canal de la source au drain
Il existe 3 types de transistors FET communément connus ; ils comprennent : les JFETS (transistors à effet de champ à jonction), les MOSFETS (contrôleurs à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique) et les transistors mailin. circuits électriques Ce qui signifie effet de champ métal-semiconducteur. Chaque type a été conçu pour des tâches spécifiques principalement. Dans leur forme la plus simple, les JFET ont un seuil de tension grille-source fixe au-dessus duquel ils conduisent. Contrairement aux MOSFET, les transistors BJT peuvent être utilisés soit comme dispositifs à mode d'appauvrissement, soit comme dispositifs à mode d'amélioration, selon l'objectif que l'on souhaite leur attribuer (ce qui n'est pas possible avec les BJT). Les MESFET sont également considérés comme parfaits pour les applications à hautes fréquences car leurs valeurs de bruit sont très faibles tandis que la mobilité des électrons reste élevée.
La large gamme d'applications que les transistors FET peuvent utiliser dans les systèmes de communication sans fil est due à leur polyvalence, à leurs capacités haute fréquence et à leurs propriétés de faible bruit. Afin de maximiser ces avantages lors de l'utilisation Composants electroniques dans tout système de communication sans fil, nous devons étudier attentivement les paramètres qui affectent les performances du circuit, tels que les capacités parasites ou les températures et la linéarité.
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